特許

J-GLOBAL ID：200903034963282297

MRAMモジュール構造物

発明者： トーマス ボエーム ,  ダイエットマー ゴグル ,  マルティン フライターク ,  ステファン ラマーズ
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジーズ アクチェンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-275812
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164515
出願日： 2001年09月11日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】 高いメモリセル区画のパッキング密度が達成されるMRAMモジュール構造物を提供する。【解決手段】 MRAMモジュール構造物は、複数のメモリセル区画(A,P)からなる。各メモリセル区画(A,P)は、複数のメモリセル(WML,TL,HML)を有するメモリアレイ(A)と、メモリアレイ(A)の辺を囲む周辺回路(P)とからなり、周辺回路(P)は、平面図において各メモリセル区画(A,P)が本質的に十字構造を有するようにメモリアレイ(A)を囲み、メモリセル区画(A,P)は、メモリセル区画(A,P)が個々のロウ(1,2,3)において互いに関してオフセットされるように互いの中にネストされている。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセル区画(A,P)からなるMRAMモジュール構造物であって、各メモリセル区画(A,P)は、複数のメモリセル(WML,TL,HML)を有するメモリアレイ(A)と、該メモリアレイ(A)の辺を囲む周辺回路(P)とからなり、該周辺回路(P)は、平面図において各メモリセル区画(A,P)が本質的に十字構造を有するように該メモリアレイ(A)を囲み、該メモリセル区画(A,P)は、該メモリセル区画(A,P)が個々のロウ(1,2,3)において互いに関してオフセットされるように互いの中にネストされている、MRAMモジュール構造物。

IPC (5件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/10 471 ,  H01L 43/08

FI (5件)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/10 471 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (4件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083LA00 ,  5F083LA26

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁性メモリー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-337406   出願人：日本ビクター株式会社
• 半導体集積回路装置及びその機能セルの配置方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-045652   出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社