特許
J-GLOBAL ID：200903034994990427

有機電界発光素子の製造方法及びそれに用いる転写材料並びに有機電界発光素子

発明者：
山田 真人

山田 真人 について

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立石 朋美

立石 朋美 について

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西田 伸洋

西田 伸洋 について


出願人/特許権者：
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (1件)： 高石 橘馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-143806
公開番号（公開出願番号）：特開2003-338369
出願日： 2002年05月17日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：
【要約】【課題】 有機薄膜層を簡便に基板上に形成できるとともに、発光効率及び耐久性に優れ、発光面の欠陥が少ない有機電界発光素子を効率良く製造する方法及びそれに用いる転写材料並びにその製造方法により作製された有機EL素子等の有機電界発光素子を提供する。【解決手段】 仮支持体上に少なくとも1層の有機薄膜層が形成された転写材料を用い、有機薄膜層側が基板の被成膜面に対面するように転写材料を基板に重ねて加熱及び/又は加圧し、仮支持体を引き剥がすことにより有機薄膜層を基板の被成膜面に転写する工程を有する有機電界発光素子の製造方法であって、仮支持体の吸水率が8質量%以下であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
仮支持体上に少なくとも1層の有機薄膜層が形成された転写材料を用い、前記有機薄膜層側が基板の被成膜面に対面するように前記転写材料を前記基板に重ねて加熱及び/又は加圧し、前記仮支持体を引き剥がすことにより前記有機薄膜層を前記基板の被成膜面に転写する工程を有する有機電界発光素子の製造方法であって、前記仮支持体の吸水率が8質量%以下であることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (2件)：
H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A
Fターム (4件)：
3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01
引用特許：
審査官引用 (8件)
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