特許
J-GLOBAL ID：200903035000426044
炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法並びに炭化珪素単結晶育成用種結晶の装着方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-107302
公開番号（公開出願番号）：特開2002-308697
出願日： 2001年04月05日
公開日（公表日）： 2002年10月23日
要約：
【要約】【課題】 線状ボイド欠陥の少ない良質の大口径インゴットと、それを再現性良く製造し得るSiC単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長させる際に、種結晶裏面及び種結晶が装着される坩堝蓋部表面を平坦化処理し、両者を物理的に密着させることにより種結晶を装着し、高品質な炭化珪素単結晶インゴットを得る。
請求項（抜粋）：
昇華再結晶法により種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶インゴットの製造方法であって、前記種結晶裏面及び前記種結晶が装着される坩堝蓋部表面を平坦化処理し、両者を物理的に密着させることにより前記種結晶を装着することを特徴とする炭化珪素単結晶インゴットの製造方法。
Fターム (5件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077DA18
, 4G077EG11
, 4G077TF02
