特許

J-GLOBAL ID：200903035008027734

レジスト下層膜形成用組成物およびレジスト下層膜

発明者： 山下 直紀 ,  川名 大助 ,  原田 尚宣 ,  米村 幸治
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-156209
公開番号（公開出願番号）：特開2008-309929
出願日： 2007年06月13日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：

【課題】レジストとの良好なマッチング特性を有するレジスト下層膜を形成することができるレジスト下層膜形成用組成物を実現する。【解決手段】本発明のレジスト下層膜形成用組成物は、硫黄原子を含む1価の有機基を有する繰返し単位を有するシロキサンポリマー成分を含有することで、レジストとのマッチング特性が良好なレジスト下層膜を形成し得る。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される繰返し単位を有するシロキサンポリマー成分を含有することを特徴とするレジスト下層膜形成用組成物。

IPC (3件)：

G03F 7/11 ,  C08G 77/28 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F7/11 503 ,  C08G77/28 ,  H01L21/30 574

Fターム (50件)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BG00 ,  2H025CB33 ,  2H025FA10 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J246AA03 ,  4J246AB01 ,  4J246BA12X ,  4J246BA340 ,  4J246BB02X ,  4J246BB020 ,  4J246BB022 ,  4J246CA01X ,  4J246CA010 ,  4J246CA120 ,  4J246CA230 ,  4J246CA24X ,  4J246CA240 ,  4J246CA39X ,  4J246CA390 ,  4J246CA40X ,  4J246CA400 ,  4J246CA560 ,  4J246CA630 ,  4J246CA64X ,  4J246CA640 ,  4J246CA720 ,  4J246CA730 ,  4J246CA740 ,  4J246CA83X ,  4J246CA830 ,  4J246FA071 ,  4J246FA131 ,  4J246FA451 ,  4J246FB051 ,  4J246FE22 ,  4J246FE27 ,  4J246GB32 ,  4J246GC24 ,  4J246GD08 ,  4J246HA15 ,  5F046PA08

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 反射防止膜材料、反射防止膜を有する基板及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-369596   出願人：信越化学工業株式会社
• 反射防止膜材料、これを用いた反射防止膜及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-165524   出願人：信越化学工業株式会社