特許
J-GLOBAL ID：200903095214786334
反射防止膜材料、反射防止膜を有する基板及びパターン形成方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-369596
公開番号（公開出願番号）：特開2004-310019
出願日： 2003年10月29日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】短波長の露光に対して、優れた反射防止効果を有し、エッチング選択比が高く、即ち、フォトレジスト膜に対してエッチング速度が十分に速く、被加工基板よりもエッチング速度が十分に遅く、さらに、反射防止膜の上のフォトレジスト膜に形成するレジストパターン形状を垂直形状にできる反射防止膜材料を提供する。【解決手段】リソグラフィーで用いられる反射防止膜材料であって、少なくとも、下記一般式(1)で示される共重合による繰り返し単位を有する高分子化合物を含むもの、又は下記一般式(2)で示される共重合による繰り返し単位を有する高分子化合物と、下記一般式(3)で示される共重合による繰り返し単位を有する高分子化合物を含むものであることを特徴とする反射防止膜材料。 【化34】 【化35】【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
リソグラフィーで用いられる反射防止膜材料であって、少なくとも、下記一般式(1)で示される共重合による繰り返し単位を有する高分子化合物を含むものであることを特徴とする反射防止膜材料。
IPC (3件)：
G03F7/11
, G03F7/075
, H01L21/027
G03F7/11 503
, G03F7/075 521
, H01L21/30 574
2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD01
, 2H025AD03
, 2H025DA34
, 2H025FA03
, 2H025FA14
, 2H025FA41
, 5F046PA07
出願人引用 (7件)
-
リソグラフィー用下地材
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-244050
出願人：東京応化工業株式会社
-
特公平7-69611号公報
-
米国特許第5294680号明細書
全件表示
審査官引用 (3件)
前のページに戻る
