特許
J-GLOBAL ID：200903035016578570
バルクヘテロ接合を有する光電子装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-508585
公開番号（公開出願番号）：特表2007-533165
出願日： 2005年04月13日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：
第1電極上に、突出部を有する第1層を堆積すること;第2層が第1層に物理的に接触するように、第1層上に第2層を堆積すること;光電子装置を形成するために第2層上に第2電極を堆積すること;の処理を含み、前記第1層は第1有機小分子材料を含み、前記突出部の最小の側面寸法は、前記第1有機小分子材料の励起子拡散長の1倍から5倍の間である、光電子装置の製造方法である。バルクヘテロ接合を有する有機光電子装置の製造方法は、突出部を有する第1層を有機蒸気相堆積によって電極上に堆積すること;第1層上に第2層を堆積すること;の処理を含み、前記第1層及び第2層の界面はバルクヘテロ接合を形成し、第2層上に他の電極を堆積するようにも提供される。
請求項（抜粋）：
第1電極上に、突出部を有する第1層を堆積すること;
第2層が第1層に物理的に接触するように、第1層上に第2層を堆積すること;
光電子装置を形成するために第2層上に第2電極を堆積すること;の処理を含み、
前記第1層は第1有機小分子材料を含み、
前記突出部の最小の側面寸法は、前記第1有機小分子材料の励起子拡散長の1倍から5倍の間である、光電子装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F051AA12
, 5F051CB14
, 5F051CB18
, 5F051CB30
, 5F051DA03
, 5F051FA04
, 5F051GA04
審査官引用 (3件)
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ヘテロ接合素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2002-099252
出願人：シャープ株式会社
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有機薄膜の低圧蒸着
公報種別：公表公報
出願番号：特願2000-521253
出願人：ザトラスティーズオブプリンストンユニバーシティ
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特表平6-511603
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