特許

J-GLOBAL ID：200903035026274714

液浸露光プロセス用レジスト材料および該レジスト材料を用いたレジストパターン形成方法

発明者： 岩下 淳 ,  平山 拓 ,  立川 俊和
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-092769
公開番号（公開出願番号）：特開2004-325466
出願日： 2003年03月28日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：

【課題】液浸露光プロセス、中でもリソグラフィー露光光がレジスト膜に到達する経路の少なくとも前記レジスト膜上に空気より屈折率が高くかつ前記レジスト膜よりも屈折率が低い所定厚さの液体を介在させた状態で露光することによってレジストパターンの解像度を向上させる液浸露光プロセスにおいて、液浸露光中のレジスト膜の変質および使用液体の変質を同時に防止し、液浸露光を用いた高解像性レジストパターンの形成を可能とする。【解決手段】樹脂成分と、この樹脂成分の架橋剤成分とを含有してなり、前記架橋剤成分が液浸媒体に対して難溶性であるレジスト材料を、液浸露光プロセス用ネガ型レジスト材料として用いる。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

液浸露光プロセスに用いて好適な液浸露光プロセス用ネガ型レジスト材料であって、 樹脂成分と、この樹脂成分の架橋剤成分とを含有してなり、前記架橋剤成分が液浸媒体に対して難溶性であることを特徴する液浸露光プロセス用ネガ型レジスト材料。

IPC (4件)：

G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

FI (5件)：

G03F7/004 501 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/20 521 ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 514C

Fターム (19件)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025CB10 ,  2H025CB13 ,  2H025CB14 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025CC17 ,  2H025FA17 ,  5F046AA28 ,  5F046BA03 ,  5F046DA07 ,  5F046DA26 ,  5F046DA27

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 感放射線性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-042742   出願人：日本合成ゴム株式会社
• 特開昭62-065326
  
• ネガ型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-037847   出願人：東京応化工業株式会社
• ジオール構造を含有してなる重合体、それを用いたネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-087403   出願人：日本電気株式会社
• 投影露光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-341445   出願人：株式会社ニコン

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Resolution Enhancement of 157 nm Lithography by Liquid Immersion