特許

J-GLOBAL ID：200903056865865318

ネガ型レジスト組成物

発明者： 羽田 英夫 ,  岩井 武 ,  藤村 悟史
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-037847
公開番号（公開出願番号）：特開2000-206694
出願日： 1999年02月16日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 ArFエキシマレーザー光に対して透明性が高く、高解像性を有するとともに、膨潤がなく、かつ断面形状が垂直なレジストパターンを与える化学増幅型のネガ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】 (A)放射線の照射により酸を発生する化合物と、(B)酸により脱水してエステルを形成することによりアルカリ不溶性となる樹脂とを含有してなるネガ型レジスト組成物とする。

請求項（抜粋）：

(A)放射線の照射により酸を発生する化合物と、(B)酸によりアルカリ不溶性になる樹脂とを含有するアルカリ現像可能なネガ型レジスト組成物において、(B)成分として、分子内に、たがいに反応してエステルを形成しうる2種の官能基を有し、これが酸により脱水してエステルを形成することによりアルカリ不溶性となる樹脂を用いたことを特徴とするネガ型レジスト組成物。

IPC (4件)：

G03F 7/038 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/038 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/033 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (17件)：

2H025AA00 ,  2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025CB13 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025CB52 ,  2H025CC17

引用特許：

審査官引用 (2件)

• レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-222007   出願人：富士通株式会社
• パタン形成方法及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-150928   出願人：株式会社日立製作所