特許
J-GLOBAL ID:200903035061195215

シリカ系多孔体及びこれを用いた分離方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 高橋 祥泰
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-247298
公開番号(公開出願番号):特開平10-068719
出願日: 1996年08月28日
公開日(公表日): 1998年03月10日
要約:
【要約】【課題】 固定相の製造工程数が少なく,分離性能に優れた,シリカ系多孔体及びこれを用いた逆相クロマトグラフによる分離方法を提供する。【解決手段】 逆相クロマトグラフの固定相として用いるシリカ系多孔体である。シリカ系多孔体は,疎水性を示す表面を持ち,その中心細孔直径は1〜10nmの範囲内にある。中心細孔直径の±2.5nmの範囲内の直径を有する細孔の合計容積は,全細孔容積の60〜100%である。また,シリカ系多孔体は,疎水性を示す表面を持ち,また,X線回折において,d値が1nm以上に相当する回折角(2θ)の位置に,1本以上のピークを有することが好ましい。移動相としては極性溶媒を用いることが好ましい。
請求項(抜粋):
逆相クロマトグラフの固定相として用いるシリカ系多孔体であって,該シリカ系多孔体は,疎水性を示す表面を持ち,その中心細孔直径は1〜10nmの範囲内にあり,中心細孔直径の±2.5nmの範囲内の直径を有する細孔の合計容積は全細孔容積の60〜100%であることを特徴とする逆相クロマトグラフに用いるシリカ系多孔体。
IPC (3件):
G01N 30/48 ,  B01D 15/08 ,  C01B 33/16
FI (3件):
G01N 30/48 K ,  B01D 15/08 ,  C01B 33/16
引用特許:
審査官引用 (4件)
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