特許
J-GLOBAL ID：200903035070314677

太陽電池

発明者：
椙田 由考

椙田 由考 について

, 
森田 春雪

森田 春雪 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-377216
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142358
出願日： 2003年11月06日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：
【課題】 初期に形成される品質の悪い初期膜を低減し、高い光電変換効率を有する結晶質シリコン薄膜太陽電池を提供する。【解決手段】 本発明の太陽電池によれば、基板と該基板上に形成された光電変換部とを含む太陽電池において、前記光電変換部は、第一の導電型シリコン層と、結晶質シリコン中間膜と、i型結晶質シリコン層とが該順番で積層されており、前記結晶質シリコン中間層の膜厚は5〜100nmの範囲内であり、かつ前記結晶質シリコン中間層の結晶化率Xcaは0.6〜3の範囲内であり、前記i型結晶質シリコン層の膜厚は1〜5μmの範囲内であり、かつ前記i型結晶質シリコン層の結晶化率Xcbは2〜8の範囲内であることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と該基板上に形成された光電変換部とを含む太陽電池において、 前記光電変換部は、第一の導電型シリコン層と、結晶質シリコン中間膜と、i型結晶質シリコン層とが該順番で積層されており、 前記結晶質シリコン中間層の膜厚は5〜100nmの範囲内であり、かつ前記結晶質シリコン中間層の結晶化率Xcaは0.6〜3の範囲内であり、 前記i型結晶質シリコン層の膜厚は1〜5μmの範囲内であり、かつ前記i型結晶質シリコン層の結晶化率Xcbは2〜8の範囲内であることを特徴とする、太陽電池。
IPC (1件)：
H01L31/04
FI (1件)：
H01L31/04 H
Fターム (10件)：
5F051AA03 ,  5F051CB12 ,  5F051CB14 ,  5F051CB15 ,  5F051CB21 ,  5F051DA04 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA19
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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