特許

J-GLOBAL ID：200903044082688547

シリコン系薄膜光電変換装置とその製造方法

発明者： 吉見 雅士 ,  山本 憲治
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-364392
公開番号（公開出願番号）：特開2000-188413
出願日： 1998年12月22日
公開日（公表日）： 2000年07月04日
要約：

【要約】【課題】 光電変換特性が改善されたシリコン系薄膜光電変換装置を提供する。【解決手段】 シリコン系薄膜光電変換装置は、400°C以下の基板温度のもとにプラズマCVDで順次積層された一導電型層111、90%以上の体積結晶結晶化分率を有しかつ実質的にi型の結晶質光電変換層112、実質的にi型の微結晶中間層112A、および微結晶の逆導電型層113を含み、中間層112Aは光電変換層112に比べて低い体積結晶化分率を有するとともに5〜60nmの範囲内の厚さを有することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

基板上において順次積層された裏面電極、少なくとも1つのシリコン系薄膜光電変換ユニット、および透明前面電極を含み、前記光電変換ユニットの少なくとも1つは400°C以下の基板温度のもとでプラズマCVDによって順次積層された一導電型層、90%以上の体積結晶化分率を有しかつ実質的にi型の結晶質光電変換層、実質的にi型の微結晶中間層、および微結晶の逆導電型層を含み、前記中間層は前記光電変換層より低い体積結晶化分率を有するとともに5〜60nmの範囲内の厚さを有することを特徴とするシリコン系薄膜光電変換装置。

FI (6件)：

H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 V ,  H01L 31/04 W ,  H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 Y ,  H01L 31/04 X

Fターム (10件)：

5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051AA16 ,  5F051CA03 ,  5F051CA15 ,  5F051CA36 ,  5F051DA04 ,  5F051DA17 ,  5F051DA18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 光起電力素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-062898   出願人：キヤノン株式会社
• 太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-299168   出願人：シャープ株式会社
• 光起電力素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-248528   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平4-266067