半導体発光素子およびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-204949
公開番号（公開出願番号）：特開平10-154831
出願日： 1997年07月30日
公開日（公表日）： 1998年06月09日
要約：

【要約】【課題】基板結晶との界面での相互拡散による高抵抗層をなくし、低抵抗p型コンタクトを実現することを目的とする。また、内部狭窄構造を作る際にリーク電流を低減することを目的とする。【解決手段】組成のずれた化合物半導体層をコンタクト層として用い、所定の元素を添加することにより、通常のGaN系に不純物を添加するよりもより大量のドーピングが可能となり、より高濃度の導電型が実現され、コンタクト抵抗を低減することができる。さらに、組成のずれた化合物半導体層を電流阻止層として用いることによって、電流阻止効率が改善される。また、光励起M0CVD法で成長面の荒れをなくすため成長結晶のバンドギャップよりわずかに高エネルギの光を照射する事により、高キャリア濃度のp型導電性を実現できる。

請求項（抜粋）：

化学量論的組成からずれた組成を有する化合物半導体からなる過剰層を備えたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01L 21/365

FI (4件)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 D , H01L 21/205 , H01L 21/365

引用特許：

審査官引用 (4件)

III-V族化合物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-280455 出願人：ソニー株式会社
半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-062812 出願人：株式会社東芝
特開平4-133367

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