特許
J-GLOBAL ID：200903093157446472

III-V族化合物半導体素子の製造方法

発明者：
小沢 正文

小沢 正文 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-280455
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125655
出願日： 1996年10月23日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】 n側電極のオーミック接触抵抗が低い窒素系III -V族化合物半導体素子を製造する方法を提供する。【解決手段】 周期律表の第V族元素として窒素を含むn型III -V族化合物半導体層上に電極を形成するに当たり、化合物半導体層の電極形成面のストイキオメトリが低い窒素比率になるように化合物半導体層の電極形成面を処理し、その後、電極層を成膜する。好適には、エッチング速度が70nm/min以下の条件で反応性化学エッチングをn型化合物半導体層の電極形成面に施して、電極形成面のストイキオメトリが低い窒素比率になるようにする。また、別法として800°C以上の熱処理をn型化合物半導体層の電極形成面に施して、電極形成面のストイキオメトリが低い窒素比率になるようにする。
請求項（抜粋）：
周期律表の第V族元素として窒素を含むn型III -V族化合物半導体層上に電極を形成するに当たり、化合物半導体層の電極形成面のストイキオメトリが低い窒素比率になるように化合物半導体層の電極形成面を処理し、次いで、その電極形成面上に電極層を成膜することを特徴とするIII -V族化合物半導体素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (3件)：
H01L 21/302 F ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
引用特許：
審査官引用 (5件)
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