面発光型半導体発光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：越場隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-297856
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121875
出願日： 1997年10月15日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】制御端子を含む3端子を備えた面発光型半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板上に積層されたp型半導体薄膜、i型薄膜またはn型半導体薄膜により構成されたnpn構造、nipin構造またはnipn構造を含む第1電流路15a、16a、17aと、第1電流路に対して基板側に積層された第1のコンタクト層13a、と、基板に対して第1電流路よりも上層に積層された第2のコンタクト層18と、第2のコンタクト層上に装荷されたnpn構造、nipin構造またはnipn構造を含む第2電流路15b、16b、17bと、第2電流路上に積層された第3のコンタクト層13bとを備え、第1電流路および第2電流路の少なくとも一方が発光部を含む。

請求項（抜粋）：

基板上に積層されたp型半導体薄膜、i型薄膜またはn型半導体薄膜により構成されたnpn構造、nipin構造またはnipn構造を含む第1電流路と、該第1電流路に対して基板側に積層された第1のコンタクト層と、該基板に対して該第1電流路よりも上層に積層された第2のコンタクト層と、該第2のコンタクト層上に装荷されたnpn構造、nipin構造またはnipn構造を含む第2電流路と、該第2電流路上に積層された第3のコンタクト層とを備え、該第1電流路および第2電流路の少なくとも一方が発光部を構成することを特徴とする面発光型半導体発光装置。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

特表平7-503104
フル・カラ-発光ダイオ-ド表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-300961 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
半導体受発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-004552 出願人：松下電器産業株式会社

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