半導体受発光装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-004552
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199795
出願日： 1996年01月16日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】面発光レーザと、面発光レーザからの出力光をモニターする受光素子を同一パッケージに実装あるいは同一基板上に集積する。【解決手段】 GaAsよりなる第2の半導体基板104がp型Siよりなる第1の半導体基板101上に固定されている。第2の半導体基板104上には、p型AlAsとp型GaAsの交互積層多層膜よりなる下部反射器107、InGaAs井戸層がGaAs障壁層に挟まれた構成の活性層108、n型AlAsとn型GaAsの交互積層多層膜よりなる上部反射器109が積層され、面発光レーザ110を構成している。第1の半導体基板101上には、低濃度p型Siよりなるエピ層111とn型不純物を拡散した拡散層112が形成され、受光素子113を構成している。面発光レーザ110から第1の出力光114が出射され、光ファイバ115のコア116に入射する。また、面発光レーザ110から第2の出力光117が出射され、受光素子113に入射する。

請求項（抜粋）：

第1主面および第2主面を有する第1の半導体基板と、第3主面および第4主面を有し、前記第1主面に前記第3主面が接するように前記第1の半導体基板上に固定された第2の半導体基板と、前記第3主面上に形成された面発光レーザと、前記面発光レーザに対向して前記第1主面上に形成された受光素子と、前記面発光レーザから前記第4主面を横切って出射される第1の出力光と、前記面発光レーザから出射され前記受光素子に入射する第2の出力光とを有することを特徴とする半導体受発光装置。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , H01L 31/12 , H01L 33/00

FI (4件)：

H01S 3/18 , H01L 31/12 A , H01L 31/12 H , H01L 33/00 M

引用特許：

審査官引用 (11件)

受発光一体型光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-149990 出願人：松下電子工業株式会社
特開昭61-108186
特開昭63-287084

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