特許
J-GLOBAL ID：200903035143087151

ガスデポジション方法およびその装置

発明者：
岩重 央

岩重 央 について


出願人/特許権者：
真空冶金株式会社

真空冶金株式会社 について


代理人 (1件)： 飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-205893
公開番号（公開出願番号）：特開2000-017427
出願日： 1998年07月06日
公開日（公表日）： 2000年01月18日
要約：
【要約】【課題】 高融点の金属材料や、活性な金属材料を安定して蒸発させることが可能で、かつ純度および均一性の高い超微粒子膜を長時間、安定して形成せることの可能なガスデポジション方法およびその装置を提供すること。【解決手段】 垂直線上に位置させた超微粒子生成室21、搬送管31、膜形成室41と、ガス純化循環装置51とによってHeガスの循環回路を形成させ、超微粒子生成室21において、半球状のTi・Ni合金17を載置した陽極としての水冷銅ハース15と、その直上方の負電極ホルダー18に保持させた陰極としてのタングステン・チップ19との間にアーク放電を生起させてTi・Ni合金17の先端部を局所的に加熱し蒸発させる。生成する超微粒子は搬送管31を経由してノズル32から噴出され膜形成室41内の基板42に超微粒子膜を形成させる。
請求項（抜粋）：
少なくとも、金属材料の蒸発源、該蒸発源の上方に位置する搬送管の吸入口、および不活性ガス導入部を備えた減圧可能な超微粒子生成室と、直線状の前記搬送管と、該搬送管の上端部、該上端部に接続されるノズル、該ノズルに対向して配置される基板、および不活性ガス排出部を備えた減圧可能な膜形成室とからなり、かつ前記超微粒子生成室を下方にして、前記超微粒子生成室と前記搬送管と前記膜形成室とがほぼ垂直線上に配置された装置によって、前記蒸発源から加熱蒸発されて生成する前記金属材料の超微粒子を前記不活性ガスと共に前記搬送管によって搬送し前記ノズルから噴出させて、前記基板上に前記超微粒子による膜または小塊を形成させるガスデポジション方法において、前記蒸発源からの前記金属の蒸発が、冷却されたハースに保持される前記金属材料を陽極とし、該陽極と一定の間隔を開けて設けられた高融点金属チップを陰極としてアーク放電を生起させて前記金属材料を局所的に加熱して蒸発させることにより行われることを特徴とするガスデポジション方法。
IPC (2件)：
C23C 14/26 ,  C23C 24/04
FI (2件)：
C23C 14/26 Z ,  C23C 24/04
Fターム (28件)：
4K029AA09 ,  4K029BA02 ,  4K029BA03 ,  4K029BA07 ,  4K029BA11 ,  4K029BA16 ,  4K029BA17 ,  4K029BA21 ,  4K029BA25 ,  4K029BC03 ,  4K029CA01 ,  4K029DA01 ,  4K029DA02 ,  4K029DA05 ,  4K029DB17 ,  4K029DB21 ,  4K029DB23 ,  4K029DD06 ,  4K029EA03 ,  4K029EA07 ,  4K029EA09 ,  4K044AA13 ,  4K044BA02 ,  4K044BA06 ,  4K044BA10 ,  4K044BB01 ,  4K044BC14 ,  4K044CA13
引用特許：
審査官引用 (4件)
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