特許

J-GLOBAL ID：200903035165513863

交換結合膜と前記交換結合膜を用いた磁気検出素子、ならびに前記交換結合膜の製造方法と前記磁気検出素子の製造方法

発明者： 長谷川 直也 ,  斎藤 正路
出願人/特許権者： アルプス電気株式会社
代理人 (1件)： 野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-042908
公開番号（公開出願番号）：特開2002-246230
出願日： 2001年02月20日
公開日（公表日）： 2002年08月30日
要約：

【要約】【目的】 従来におけるシードレイヤではCrの組成比は40原子%以下であったが、今後の高記録密度化に適切に対応するには前記Crの組成比を大きくして前記シードレイヤ表面の濡れ性を高める必要があった。【構成】 シードレイヤ22の反強磁性層4との界面でのCrの組成比は40原子%以上で、このCrの組成比は、前記シードレイヤ22の前記反強磁性層4と反対側の面でのCrの組成比よりも大きく、前記シードレイヤ22には、前記反強磁性層4側に向かうにしたがって、前記Crの組成比が増加する領域が存在し、前記シードレイヤ22の結晶構造は前記反強磁性層との界面で面心立方構造である。これにより面心立方構造を保ちながらシードレイヤ表面の濡れ性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

下から非磁性あるいは一部が強磁性材料で形成されたシードレイヤ、反強磁性層、強磁性層の順に積層され、前記反強磁性層と強磁性層との界面で交換結合磁界が発生することで、前記強磁性層の磁化方向が一定方向にされる交換結合膜において、前記シードレイヤは元素α(Fe、Ni、Coのうちいずれか1種または2種以上)とCrを含有し、前記シードレイヤの前記反強磁性層との界面での前記Crの組成比は40原子%以上で、このCrの組成比は、前記シードレイヤの前記反強磁性層と反対側の面でのCrの組成比(原子%)よりも大きくなっており、前記シードレイヤには、前記反強磁性層側に向かうにしたがって、前記Crの組成比(原子%)が増加する領域が存在し、前記シードレイヤの結晶構造は前記反強磁性層との界面で面心立方構造(fcc構造)であることを特徴とする交換結合膜。

IPC (6件)：

H01F 10/32 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (6件)：

H01F 10/32 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12

Fターム (12件)：

5D034BA02 ,  5D034BA03 ,  5D034BA12 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA07 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• スピンバルブ磁気抵抗センサ及び薄膜磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-331916   出願人：リードライト・エスエムアイ株式会社
• 交換結合膜および磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-237335   出願人：株式会社東芝
• 交換結合膜とその製造方法、前記交換結合膜を用いた磁気抵抗効果素子、ならびに、前記磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-113438   出願人：アルプス電気株式会社
• 磁気抵抗効果型ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-268811   出願人：富士通株式会社