特許
J-GLOBAL ID：200903035192601669
薄膜形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-321573
公開番号（公開出願番号）：特開2005-089781
出願日： 2003年09月12日
公開日（公表日）： 2005年04月07日
要約：
【課題】2種類以上の原料ガスを互いに混合することなく用いる化学的気相成長法で、より迅速に膜が形成できるようにする。【解決手段】基板Wの移動方向とは異なる方向に延在し、ガス供給ヘッド102のガス供給面に配列されて各々第1ガス,第2ガスを基板Wの上に供給する第1ガス吐出部121,第2ガス吐出部123とを備え、移動している基板Wの上に、ガスAおよびガスBを、線状に順次に供給する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
処理対象の基板が載置される基板載置台と、
この基板載置台の前記基板が載置される面に対向するガス供給面を備えたガス供給ヘッドと、
前記基板載置台と前記ガス供給ヘッドとの少なくとも一方を前記ガス供給面に沿った所定の移動方向に移動させる移動手段と
を少なくとも備え、
前記ガス供給ヘッドは、前記移動方向とは異なる方向に延在して前記ガス供給面に配列され、第1ガス,第2ガスを各々前記基板載置台の上に供給する第1ガス吐出部,第2ガス吐出部とを備える
ことを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
4K030EA03
, 4K030EA04
, 4K030EA05
, 4K030EA06
, 4K030LA15
, 4K030LA18
出願人引用 (2件)
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特開平1-179423号公報
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薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-320816
出願人：富士通株式会社
審査官引用 (1件)
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成膜装置および成膜方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-000183
出願人：東京エレクトロン株式会社
引用文献：
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