特許

J-GLOBAL ID：200903035224338523

量子箱メモリ

発明者： 野本 和正 ,  鈴木 寿一 ,  平 健一 ,  長谷 伊知郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-143213
公開番号（公開出願番号）：特開平9-326474
出願日： 1996年06月05日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：

【要約】【課題】高記録密度、高速記録、低記録エネルギーの光メモリとして機能する量子箱メモリを提供する。【解決手段】量子箱QDと、その量子箱QDを周囲から電気的に分離するように囲む障壁層Bと、間に量子箱を挟むように障壁層の両表面に形成されたショットキー接合とを有し、該量子箱内に局在した状態を占める電子または正孔の有無をビット情報とし、不揮発性メモリとして機能する量子箱メモリとする。この場合、量子箱を2次元または3次元状に配置してもよい。量子箱に光を照射することで電子または正孔の入力、読み出し、消去を行う。

請求項（抜粋）：

量子箱と、その量子箱を周囲から電気的に分離するように囲む障壁層と、間に量子箱を挟むように障壁層の両表面に形成されたショットキー接合とを有し、該量子箱内に局在した状態を占める電子または正孔の有無をビット情報とし、不揮発性メモリとして機能することを特徴とする量子箱メモリ。

IPC (2件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 421

FI (2件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 421

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 量子演算素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-172618   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-203267
  
• 量子メモリおよびそれに用いられる針状電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-114468   出願人：ソニー株式会社
• 量子演算素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-171759   出願人：ソニー株式会社