特許
J-GLOBAL ID:200903035230234128
半導体光増幅器
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
森 哲也
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-245202
公開番号(公開出願番号):特開2005-236254
出願日: 2004年08月25日
公開日(公表日): 2005年09月02日
要約:
【課題】 信号光の導波方向に発振光を混入させることなく、入力光強度による利得変動を抑えることが可能な半導体光増幅器を提供する。【解決手段】 n-InP基板501上に形成されたGaInAsP活性層502の両側をn-GaInAsP電流ブロック層504で埋め込むとともに、GaInAsP活性層502と直交する方向に所定間隔で配列されたn-InP埋め込み層510をn-GaInAsP電流ブロック層504に形成することにより、信号光の導波方向と直交する方向で発振が起こるようにする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板上に形成され、信号光を増幅する光導波路と、
前記光導波路と交差するように配置され、前記基板に対して水平な方向で発振させる共振部とを備えることを特徴とする半導体光増幅器。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (15件):
5F173AA22
, 5F173AA27
, 5F173AB13
, 5F173AB17
, 5F173AB73
, 5F173AD30
, 5F173AH14
, 5F173AP04
, 5F173AP05
, 5F173AR13
, 5F173AS01
, 5F173SA02
, 5F173SA03
, 5F173SA12
, 5F173SC03
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (3件)
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特許第6445495号
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特開平2-246181
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半導体光増幅器
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-041230
出願人:アンリツ株式会社
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