特許
J-GLOBAL ID：200903035238830323

半導体装置の製造方法

発明者：
花巻 吉彦

花巻 吉彦 について

, 
小野 健一

小野 健一 について

, 
竹見 政義

竹見 政義 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-059594
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245340
出願日： 2005年03月03日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】 ウェハプロセス投入前にウェハの活性層のPL(Photoluminescence)波長検査を行い、検査に用いたウェハをウェハプロセスに投入できるようにする。【解決手段】 ウェハプロセス投入前に、デバイスを形成するウェハのコンタクト層6の一部を除去して開口部11を形成し、開口部11から励起レーザ9を入射して活性層3のPL波長検査を行う。そしてPL波長の良否判定を行い、所定の規格を満たすウェハをウェハプロセスに投入し、ウェハプロセス加工を行うようにする。 このように、デバイス形成に用いるウェハの活性層のPL波長検査をウェハプロセス投入前に非破壊検査により行うことにより、検査で用いたウェハをウェハプロセスに投入することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
下層から順に活性層とコンタクト層とを含む半導体レーザ構造が形成されたウェハの前記コンタクト層の一部を除去して開口部を形成する工程と、 前記開口部から励起レーザを入射して前記活性層のフォトルミネッセンス波長検査を行う工程と、 前記検査により測定した波長が所定の規格を満たすか否かを判定する判定工程と、 前記判定工程で規格を満たすウェハをウェハプロセスにより加工する工程と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01S 5/00 ,  G01N 21/64 ,  H01L 21/66
FI (3件)：
H01S5/00 ,  G01N21/64 Z ,  H01L21/66 T
Fターム (29件)：
2G043AA03 ,  2G043CA05 ,  2G043DA01 ,  2G043EA01 ,  2G043GA07 ,  2G043GB02 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CA18 ,  4M106DH12 ,  5F173AA05 ,  5F173AA08 ,  5F173AA15 ,  5F173AA48 ,  5F173AG12 ,  5F173AH03 ,  5F173AH12 ,  5F173AH14 ,  5F173AJ03 ,  5F173AJ04 ,  5F173AJ05 ,  5F173AJ13 ,  5F173AJ14 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AR92 ,  5F173ZQ01 ,  5F173ZQ05 ,  5F173ZR02
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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