特許

J-GLOBAL ID：200903035242679907

基板処理方法および基板処理装置

発明者： 横内 健一
出願人/特許権者： 大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (2件)： 川崎 実夫 ,  稲岡 耕作
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-281630
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119717
出願日： 2002年09月26日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】ウォーターマークを発生させることなく、基板の上面を良好に乾燥させる。【解決手段】洗浄処理が終了すると、遮断板2がスピンチャック1に保持されたウエハWの上面に近接した位置に配置される。そして、液体供給口252aからウエハWの上面に純水が供給される。ウエハWの上面に供給された純水は、ウエハWの上面に拡がり、その表面張力でウエハW上に液膜となって溜められる。この液膜形成のための液盛りが行われている間に、第1乾燥ガス供給口251aおよび第2乾燥ガス供給口26aから窒素ガスが供給されて、ウエハW上の純水の液膜と遮断板2との間の空間の雰囲気が窒素ガスに置換される。その後、IPAベーパ供給工程が行われる。IPAベーパ供給工程では、第1乾燥ガス供給口251aからウエハWの上面の中央部に向けて、IPAベーパを含む窒素ガスが供給される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板保持手段によって基板をほぼ水平に保持する基板保持工程と、 この基板保持工程の後に、上記基板保持手段に保持された基板の上面に所定の液体を液盛りして液膜を形成する液膜形成工程と、 上記基板保持工程の後に、上記基板保持手段に保持された基板の上面に基板対向部材を近接させて、その基板対向部材で基板の上面の少なくとも中央部を覆う被覆工程と、 上記液膜形成工程の後であって上記被覆工程が行われている期間中に、上記基板保持手段に保持された基板の上面の中央部に向けて乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給工程と を含むことを特徴とする基板処理方法。

IPC (1件)：

H01L21/304

FI (2件)：

H01L21/304 651B ,  H01L21/304 651L

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 洗浄方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-148606   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
• 基板処理装置および方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-189360   出願人：大日本スクリーン製造株式会社