特許

J-GLOBAL ID：200903035298540812

ピストンリング

発明者： 地濃 美奈子 ,  小川 勝明 ,  井口 邦浩
出願人/特許権者： 日本ピストンリング株式会社
代理人 (1件)： 石川 泰男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-199886
公開番号（公開出願番号）：特開2003-014122
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月15日
要約：

【要約】【課題】 ピストンリング溝の側面との間の耐Al凝着性に優れ且つ耐スカッフ性および耐摩耗性に優れたピストンリングを提供する。【解決手段】 少なくとも上面8および下面9に硬質炭素積層皮膜2が形成されたピストンリング10であって、その硬質炭素積層皮膜2は、上面8および下面9の表面に形成された少なくともSiを含有する第1硬質炭素皮膜11と、その第1硬質炭素皮膜11下に形成された少なくともWまたはW、Niを含有する第2硬質炭素皮膜12とからなるピストンリングにより、上記課題を解決する。このとき、第2硬質炭素皮膜12をピストンリングの外周摺動面6に更に形成したり、更に内周面7をも加えたピストンリングの全周に形成することもできる。また、第1硬質炭素皮膜11を必要に応じて第2硬質炭素皮膜12上に形成してもよい。また、こうした各硬質炭素皮膜には、下地皮膜を形成できる。

請求項（抜粋）：

少なくとも上面および下面に硬質炭素積層皮膜が形成されたピストンリングであって、該硬質炭素積層皮膜は、該上面および下面の表面に形成された少なくともSiを含有する第1硬質炭素皮膜と、該第1硬質炭素皮膜下に形成された少なくともWまたはW、Niを含有する第2硬質炭素皮膜とからなることを特徴とするピストンリング。

IPC (3件)：

F16J 9/26 ,  C23C 14/06 ,  F02F 5/00

FI (3件)：

F16J 9/26 C ,  C23C 14/06 P ,  F02F 5/00 F

Fターム (21件)：

3J044AA02 ,  3J044BA01 ,  3J044BA02 ,  3J044BA03 ,  3J044BB14 ,  3J044BB19 ,  3J044BB29 ,  3J044BC08 ,  3J044CB08 ,  3J044DA09 ,  4K029AA02 ,  4K029BA34 ,  4K029BA55 ,  4K029BA56 ,  4K029BA57 ,  4K029BA58 ,  4K029BB02 ,  4K029BC02 ,  4K029BD03 ,  4K029CA03 ,  4K029CA05

引用特許：

出願人引用 (5件)

• ダイヤモンドライクカーボン薄膜を有する物品およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-087857   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 特開昭64-062457
  
• 特開昭62-024198
  
• ピストンリング
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-309442   出願人：帝国ピストンリング株式会社
• 情報記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-350637   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (5件)

• ピストンリング
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-309442   出願人：帝国ピストンリング株式会社
• 情報記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-350637   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• ダイヤモンドライクカーボン薄膜を有する物品およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-087857   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 特開昭64-062457
  
• 特開昭62-024198