特許
J-GLOBAL ID：200903078994661420
ピストンリング
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-309442
公開番号（公開出願番号）：特開2000-120870
出願日： 1998年10月15日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：
【要約】【課題】 耐Al凝着性、耐焼付性、初期なじみ性等の摺動特性に優れたピストンリングを提供する。【解決手段】 ピストンリング1の上下面に直接、あるいはガス窒化層2やCrめっき皮膜5の硬質表面処理層上に、下地皮膜3を介してダイヤモンドライクカーボン皮膜4を0.5〜30μmの厚さで形成する。ダイヤモンドライクカーボンは、1.アモルファス炭素構造、2.ダイヤモンド構造を一部有するアモルファス炭素構造、3.グラファイト構造を一部有するアモルファス炭素構造の何れかの形態をとる。また、下地皮膜は、Si、Ti、W、Cr、Mo、Nb、及びVの群から選ばれた1又は2以上の元素:70原子%以上100原子%未満,残部:炭素、又は前記1又は2以上の元素:100原子%からなる。なお、ピストンリング1の外周面に上記皮膜を同様に形成することもできる。
請求項（抜粋）：
摺動面にダイヤモンドライクカーボン皮膜が被覆されているピストンリングであって、前記ダイヤモンドライクカーボン皮膜の下に、Si、Ti、W、Cr、Mo、Nb、及びVの群から選ばれた1又は2以上の元素:70原子%以上100原子%未満,残部:炭素、又は前記1又は2以上の元素:100原子%からなっている下地皮膜が被覆されていることを特徴とするピストンリング。
IPC (2件)：
FI (2件)：
F16J 9/26 C
, C23C 14/06 F
3J044AA02
, 3J044AA04
, 3J044BB28
, 3J044BB30
, 3J044BB31
, 3J044BB35
, 3J044BB40
, 3J044DA09
, 3J044DA16
, 4K029BA02
, 4K029BA07
, 4K029BA34
, 4K029BA55
, 4K029BB02
, 4K029BC02
, 4K029BD04
