半導体ウエハの処理装置及び半導体ウエハの処理方法並びに半導体素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：春日讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-317977
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162129
出願日： 1995年12月06日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】低温部における反応副生成物の堆積量を、ウエハ成膜に影響を与えることなく、少ないガスで効率良く低減できる半導体ウエハの処理装置及び半導体ウエハの処理方法並びに半導体素子を提供する。【解決手段】反応管2内の所定位置に載置されたウエハ3がヒータ1で加熱され、同時に、ガス供給口4aから成膜ガスを供給するとともに希釈ガス供給孔13bからN2ガスが供給され、かつ排気口5bから排気することで、成膜ガスがウエハ3の表面に流され、熱反応によってウエハ3の表面に薄膜が形成される。このとき成膜ガスがN2ガスによって希釈されることにより、反応副生成物の堆積に寄与する成膜ガスの分圧が低下するとともに、N2ガスが成膜ガスから反応管2壁面を保護するように流れ堆積を抑制する。よって、反応管2低温部(両端開口部近傍)の表面に付着堆積する反応副生成物の堆積速度を低下させることができる。

請求項（抜粋）：

長手方向両端に開口部を設けた略偏平な反応管と、この反応管両端の開口部に設けられたフランジとを備えた反応容器の内部に半導体ウエハを収納・加熱し、前記反応容器内に反応ガスを供給しながら排気することにより、ウエハ表面への薄膜形成及びエピタキシャル成長のいずれか一方の処理を行う半導体ウエハの処理装置において、前記反応ガスを希釈するための希釈ガスを、前記反応管内における前記ウエハ配置位置よりもガス流れ方向下流側に供給する希釈ガス供給機構を設けたことを特徴とする半導体ウエハの処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 , C30B 25/14 , H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/44 D , C30B 25/14 , H01L 21/31 B

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-335082 出願人：川崎製鉄株式会社
特開平4-100216
特開平4-136175

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