特許
J-GLOBAL ID:200903035301217114

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 稲岡 耕作 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-025910
公開番号(公開出願番号):特開2000-223517
出願日: 1999年02月03日
公開日(公表日): 2000年08月11日
要約:
【要約】【課題】チップ上の電極間の接続を容易にし、電極配置の自由度を上げることのできる半導体装置を実現する。【解決手段】半導体基板1のスクライブラインの領域に金バンプ7を形成し、半導体素子上の所定の電極8と接続する。【効果】金バンプの、抵抗が低い、熱伝導率が高い、という特性を利用して、この金バンプ7を、チップ上の電極として利用することができる。
請求項(抜粋):
半導体素子形成領域の周辺に、金属を配置していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 21/60 ,  H01L 21/301
FI (2件):
H01L 21/92 604 A ,  H01L 21/78 L
引用特許:
審査官引用 (4件)
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