ミリ波導波路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-317362
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163711
出願日： 1996年11月28日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】マイクロストリップ型ミリ波導波路について、簡易な構造で低損失化を実現することを目的とする。【解決手段】シリコン基板101に異方性エッチングにより溝を設け、グランド導体としてニッケルクロム102、105と金103、106を積層し、金同士を熱圧着することで、シールド構造を持ったマイクロストリップ線路構造形成する。シールド構造とすることで、放射損失を低減できる。またシリコン上に金属を積層する際に必須であるニッケルクロムの層に高周波電流がほとんど流れないため導体損失も低減できる。

請求項（抜粋）：

第1の単結晶基板に異方性エッチングにより溝を設け、溝を設けた面にグランド面として導体を積層し、第2の単結晶基板に第1のマイクロストリップ線路導体と、前記第1の単結晶基板と接続する面にグランド面として導体を積層し、前記第1の単結晶基板に設けた溝の上に、前記第2の単結晶基板に設けた第1のマイクロストリップ線路が配置されるように、前記第1および第2の単結晶基板を接続した構造を有することを特長とするミリ波導波路。

IPC (3件)：

H01P 3/08 , H01L 21/3065 , H01P 5/08

FI (3件)：

H01P 3/08 , H01P 5/08 H , H01L 21/302 J

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平2-271656
マイクロ波装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-317354 出願人：株式会社富士通ゼネラル
特公昭47-006970

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