シランカップリング剤を用いた基板処理方法及び基板処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-189013
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142311
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】シランカップリング剤により基板処理を行う場合に、最適条件で処理を行え、シランカップリング剤の余分な付着などの問題を生じないようにした基板処理方法及び基板処理装置を提供する。【構成】少なくともSiを含む疎水性表面をもつ基板をシランカップリング剤で処理する際、シランカップリング剤の濃度(HMDSガス濃度)I及び/または処理により発生する反応生成ガスの濃度(NH3 ガス濃度)IIを検出することによって、処理終点P1 ,P2 を検出する基板処理方法及び基板処理装置。

請求項（抜粋）：

少なくともSiを含む疎水性表面をもつ基板をシランカップリング剤で処理する基板処理方法において、シランカップリング剤の濃度を検出することによって、処理終点を検出することを特徴とする基板処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 , C07F 7/10 , G03F 7/16 501

引用特許：

出願人引用 (3件)

処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-309811 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
処理方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-302998 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
レジスト膜塗布装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-079731 出願人：九州日本電気株式会社

審査官引用 (2件)

処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-309811 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社
処理方法及びその装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-302998 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社

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