特許
J-GLOBAL ID：200903035319159871
半導体エネルギ-検出器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-373626
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196063
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】 高速・高効率での電荷転送が可能な裏面照射型の半導体エネルギー検出器を提供する。【解決手段】 基板の表面側に形成されたCCDの、垂直シフトレジスタの転送電極の表面側に、転送電圧が印加されて転送電極へ転送電圧の補助的な印加・供給を行う蛇行パターン状の補助配線(101〜103など)と、補助配線とは独立して、転送電圧の補助的な供給を行う付加配線(111、112、122、123など)とを有する低抵抗なアルミニウム製の配線パターンを形成し、対応する転送電極とそれぞれ接続させることによって、多結晶シリコン製の転送電極における配線抵抗の問題を解決して、高速・高効率での電荷転送を実現することができる。また、このような配線パターンによって、配線の幅を画素幅よりも大きくすることも可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面側に電荷結合素子からなる電荷読み出し部が形成され、前記半導体基板の裏面側に半導体の一部が除去され薄形化された薄形部が形成されて、前記半導体基板の前記裏面からエネルギー線が入射される半導体エネルギー検出器であって、前記電荷読み出し部は、2次元の画素配列を有して構成され、入射したエネルギー線が検出される受光部と、前記受光部の表面側に前記2次元の画素配列における第1の方向を長手方向としてそれぞれ形成され、前記2次元の画素配列における第2の方向についての電荷転送を行うための転送電圧が印加される転送電極と、前記転送電極の表面側に形成され、前記転送電圧が印加される金属または金属シリサイドからなる補助配線と、前記転送電極の表面側に前記補助配線とは電気的に独立して形成される金属または金属シリサイドからなる付加配線と、を有し、それぞれの前記補助配線は、前記第2の方向について前記補助配線の幅以上離れて配置されている2つの前記転送電極を少なくとも含む複数の前記転送電極に電気的に接続されて、前記転送電圧を補助的に印加・供給し、それぞれの前記付加配線は、前記補助配線に電気的に接続されている少なくとも1つの前記転送電極と、前記補助配線に対して電気的に独立な少なくとも1つの前記転送電極とを含む複数の前記転送電極に電気的に接続されて、前記転送電圧を補助的に供給することを特徴とする半導体エネルギー検出器。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (22件)：
2G088FF02
, 2G088FF04
, 2G088FF11
, 2G088GG21
, 2G088JJ05
, 2G088JJ31
, 2G088JJ33
, 2G088JJ37
, 4M118AA03
, 4M118AB10
, 4M118BA12
, 4M118CA08
, 4M118DA18
, 4M118DA20
, 4M118DA32
, 4M118DB06
, 4M118DB07
, 4M118DB08
, 4M118DD04
, 4M118DD12
, 4M118FA06
, 4M118GA02
