特許

J-GLOBAL ID：200903035327895919

半導体発光素子、およびその製造方法

発明者： 名西 ▲やす▼之 ,  門田 道雄
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-343057
公開番号（公開出願番号）：特開平11-243229
出願日： 1998年12月02日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：

【要約】【課題】 高価な下地基板を用いることなくGaN層を成長させることができ、かつ、より低温でGaN層を成長させ、基板とGaNとの熱膨張係数の差による影響を受けにくい半導体発光素子、およびその製造方法を提供する【解決手段】 ガラス基板またはシリコン基板上に、ECR-MBE法によって、GaN層を形成する。

請求項（抜粋）：

ガラス基板またはシリコン基板上に、ECR-MBE法によって、GaN層が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭57-010280
  
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-087062   出願人：旭化成工業株式会社
• 化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-273392   出願人：株式会社東芝