特許
J-GLOBAL ID：200903054559495954

化合物半導体発光素子

発明者：
波多野 吾紅

波多野 吾紅 について

, 
大場 康夫

大場 康夫 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-273392
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139361
出願日： 1994年11月08日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】【目的】 III-V族化合物としてのGaAlInN系材料を用いて青色域で発光させることができ、かつ製造コストの低減及び発光効率の向上をはかり得るLEDを提供すること。【構成】 青色域で発光する化合物半導体LEDにおいて、石英ガラス基板11上にZnOバッファ層12を介して、n型GaNクラッド層13,GaN発光層14及びp型GaNクラッド層15からなるダブルヘテロ構造部を形成し、かつ発光層14にドナー不純物としてのSeとアクセプタ不純物としてのMgを同時に添加したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
非単結晶基板上に、Gax Aly In1-x-y N(0≦x,y≦1)を構成材料とする、第1導電型クラッド層,発光層及び第2導電型クラッド層からなるダブルヘテロ構造部を形成してなることを特徴とする化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
引用特許：
審査官引用 (4件)
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