特許
J-GLOBAL ID:200903035348567784
電子デバイスの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-051480
公開番号(公開出願番号):特開2004-260096
出願日: 2003年02月27日
公開日(公表日): 2004年09月16日
要約:
【課題】アンダーフィル内のボイドの発生を効果的に防止し、かつ、製造工程および製造にかかる時間を短縮した電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】基板1aに対して、第1の加熱および第2の加熱の2段階を含む加熱を行なう。第1の加熱では基板1aを水の沸点より低い加熱温度で加熱し、第2の加熱では基板1aを第1の加熱の温度よりも高い温度で加熱する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
一方主面側に接続ランドが形成された基板と、回路素子とを用意するステップと、
前記基板の前記接続ランドと前記回路素子とを、バンプを介して接続するステップと、
前記基板の一方主面側と、前記接続ランドに接続された前記回路素子との隙間部にアンダーフィル樹脂を付与するステップと、
前記アンダーフィル樹脂が付与された前記基板を、水の沸点未満の加熱温度で加熱する、第1の加熱を実施するステップと、
前記アンダーフィル樹脂が付与された前記基板を、前記第1の加熱における前記加熱温度よりも高い加熱温度で加熱し、前記アンダーフィル樹脂を硬化する第2の加熱を実施するステップと、を含む、電子デバイスの製造方法。
IPC (1件):
FI (2件):
H01L21/60 311Q
, H01L21/60 311S
Fターム (3件):
5F044LL01
, 5F044LL11
, 5F044RR19
引用特許:
出願人引用 (4件)
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バンプ付きワークの実装方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-349838
出願人:松下電器産業株式会社
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実装方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-243950
出願人:ソニーケミカル株式会社
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半導体チップの実装方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-136219
出願人:ソニー株式会社
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-263962
出願人:富士ゼロックス株式会社
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審査官引用 (4件)