特許
J-GLOBAL ID：200903035355381904

シリコン酸化膜の製造方法、および薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
石黒 英人

石黒 英人 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-303386
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144665
出願日： 1996年11月14日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：
【要約】【課題】 TEOSを用いたプラズマCVD法に新たな条件を追加することにより、大面積の基板上における膜厚の均一性が高いシリコン酸化膜、およびTFTの製造方法を提供すること。【解決手段】 プラズマCVD装置200Cには、試料台203Cおよび上部平板電極204の周りに壁状のヒータ503が構成され、真空容器202は、ヒータ503によって二重に区画されている。この装置において、TEOSを用いてプラズマCVD法によりシリコン酸化膜(TFTのゲート絶縁膜)を形成する際には、ヒータ503が試料台203C上の基板205(液晶表示パネルのアクティブマトリクス用のガラス基板)を加熱するとともに、上部平板電極204をも加熱するので、基板205内の温度ばらつきが圧縮される。
請求項（抜粋）：
プラズマ化学気相堆積装置の真空容器内の試料台上に基板を配置するとともに、該基板に対向配置した平板電極によって前記真空容器内に原料ガスを供給しながらプラズマを発生させてプラズマ化学気相堆積法によりシリコン酸化膜を形成する際に、シリコン供給用の原料ガスとしてテトラエトキシシランを用い、かつ、前記試料台上の前記基板とともに前記平板電極に対しても加熱を行うことを特徴とするシリコン酸化膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 X ,  H01L 29/78 617 V
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 特開平1-313924
  • 特開平1-313924
  • プラズマ膜堆積装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-327761   出願人：松下電器産業株式会社
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