特許
J-GLOBAL ID:200903035377083672
ZnO系焼結体
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鴨田 朝雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-062778
公開番号(公開出願番号):特開平11-256321
出願日: 1998年03月13日
公開日(公表日): 1999年09月21日
要約:
【要約】【課題】 透過率が高くて抵抗値が低く、DCスパッタリング中の異常放電の発生が長期にわたって少なく、特性の優れた膜を効率よく成膜することが可能であり、かつ、生産性に優れていて安価なスパッタリングターゲット用ZnO系焼結体を提供する。【課題を解決するための手段】Inを3〜6原子%、そして、Al、B、Ga、Ge、Si、SnおよびTiからなる群より選ばれた1種以上の第3元素を0.3〜3原子%含有し、実質的に亜鉛とインジウムと前記第3元素の複合酸化物からなる。このZnO系焼結体は、焼結密度が4.8g/cm3 以上であり、かつ、前記複合酸化物の結晶平均粒径が4〜15μmであることが好ましい。
請求項(抜粋):
Inを3〜6原子%、および、Al、B、Ga、Ge、Si、SnおよびTiからなる群より選ばれた1種以上の第3元素を0.3〜3原子%含有し、実質的に亜鉛とインジウムと前記第3元素の複合酸化物からなることを特徴とするZnO系焼結体。
引用特許:
審査官引用 (5件)
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ZnO系焼結体およびその製法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-337256
出願人:住友金属鉱山株式会社
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ZnO系焼結体およびその製法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-038706
出願人:住友金属鉱山株式会社
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ZnO系焼結体
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-062777
出願人:住友金属鉱山株式会社
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特開平4-104937
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特開昭61-263008
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