特許

J-GLOBAL ID：200903083701528466

ZnO系焼結体およびその製法

発明者： 高梨 昌二
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 鴨田 朝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-337256
公開番号（公開出願番号）：特開平11-171539
出願日： 1997年12月08日
公開日（公表日）： 1999年06月29日
要約：

【要約】【課題】 長期的にDCスパッタリング中の異常放電の発生が少なく、特性の優れた透明導電性膜を効率よく成膜することが可能であり、かつ、生産性よく安価なスパッタリングターゲット用ZnO系焼結体を提供する。【解決手段】 本願発明のZnO系焼結体は、Bを0.5〜13原子%、およびAl、Ga、In、Ge、Si、SnおよびTiからなる群より選ばれた1種以上の第3元素を0.3〜3原子%含有し、実質的に亜鉛と硼素と前記第3元素の複合酸化物からなり、焼結密度が4.8g/cm3 以上で、結晶平均粒径が4〜15μmである。

請求項（抜粋）：

Bを0.5〜13原子%、および、Al、Ga、In、Ge、Si、SnおよびTiからなる群より選ばれた1種以上の第3元素を0.3〜3原子%含有し、実質的に亜鉛と硼素と前記第3元素の複合酸化物からなることを特徴とするZnO系焼結体。

IPC (3件)：

C01G 9/02 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34

FI (3件)：

C01G 9/02 A ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/34 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 酸化亜鉛系透明導電膜及びその作製法並びにそれに使用するスパッタリングターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-101855   出願人：株式会社ジャパンエナジー
• 特開平4-104937
  
• ターゲットおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-315084   出願人：出光興産株式会社