特許
J-GLOBAL ID：200903035381257812
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-120725
公開番号（公開出願番号）：特開2005-063633
出願日： 2004年04月15日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
【課題】 センス感度が高く且つ高速センスが可能なセンス方式を持つ不揮発性半導体記憶装置を提供する。 【解決手段】 不揮発性半導体記憶装置は、電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列されたセルアレイと、前記セルアレイのデータ読み出し及び書き込みを行うセンスアンプ回路とを備え、前記センスアンプ回路は、第1及び第2の入力ノードを有し、これらの入力ノードの差電圧を増幅する差動アンプと、前記差動アンプの第1の入力ノードを前記セルアレイのビット線に選択的に接続するためのデータ転送回路と、前記差動アンプの第2の入力ノードに参照電圧を与える参照電圧設定回路と、前記差動アンプの第1の入力ノードにロードされた書き込みデータを一時記憶し、その書き込みデータに応じて前記差動アンプの第2の入力ノードに与えられる参照電圧を調整するためのデータ記憶回路とを有する。 【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列されたセルアレイと、
前記セルアレイのデータ読み出し及び書き込みを行うセンスアンプ回路とを備え、前記センスアンプ回路は、
第1及び第2の入力ノードを有し、これらの入力ノードの差電圧を増幅する差動アンプと、
前記差動アンプの第1の入力ノードを前記セルアレイのビット線に選択的に接続するためのデータ転送回路と、
前記差動アンプの第2の入力ノードに参照電圧を与える参照電圧設定回路と、
前記差動アンプの第1の入力ノードにロードされた書き込みデータを一時記憶し、その書き込みデータに応じて前記差動アンプの第2の入力ノードに与えられる参照電圧を調整するためのデータ記憶回路と、
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
G11C17/00 634E
, G11C17/00 634G
, G11C17/00 611A
, G11C17/00 634B
5B125BA01
, 5B125CA01
, 5B125CA21
, 5B125DA03
, 5B125DA09
, 5B125DB12
, 5B125EA05
, 5B125ED09
, 5B125EE04
, 5B125EE07
, 5B125EE08
, 5B125EE16
, 5B125EE19
, 5B125EE20
, 5B125FA02
, 5B125FA10
出願人引用 (1件)
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半導体記憶装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-212765
出願人：株式会社東芝
審査官引用 (1件)
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