メモリ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松村博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-008815
公開番号（公開出願番号）：特開平11-213679
出願日： 1998年01月20日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】メモリ装置のセクタ消去制御のためのレジスタ数を減じ、セクタ消去実施のための工程数を減じることを目的とする。【解決手段】各アドレス端子と消去セクタの対応関係は、例えば第1のアドレス端子S3001の状態が”H”であれば、消去動作信号S4に応じて第1の消去セクタ1601が消去される構成であり、例えば消去セクタ1602〜1605に対して消去動作を行う場合、まず、アドレスバスB20において消去を行うセクタに対応するアドレス端子S3002〜S3005に対して”H”レベルを入力すれば、消去動作信号S4がアクティブ(”H”)となり、それまで全て非アクティブ状態(”L”)であった消去セクタ制御信号バスB5に対して信号出力が行われ、消去セクタ1602〜1605において消去が実施される。

請求項（抜粋）：

同一基板上に構成され、一括消去可能な複数のメモリセル群と、外部から制御されるアドレス端子と、このアドレス端子に接続された消去セクタ指示回路と、この消去セクタ指示回路の出力信号により制御されて前記メモリセル群における少なくとも1つの消去を行う消去制御回路とを備えたことを特徴とするメモリ装置。

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-373295
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-243295 出願人：三菱電機株式会社
特開平3-181095

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