特許
J-GLOBAL ID：200903035417732415
アレイ型半導体レーザ装置
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
曾我 道照
, 曾我 道治
, 古川 秀利
, 鈴木 憲七
, 梶並 順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-222421
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173772
出願日： 2006年08月17日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：
【課題】出力を低下させることなく信頼性を高めることが可能なアレイ型半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】バー状半導体基板1は、紙面奥行き方向に延在するレーザ素子2を、紙面左右方向に沿ってアレイ状に複数個並べて構成される。各レーザ素子2は、1個の発光領域3を含んでいる。バー状半導体基板1と同等の線膨張係数を持つ応力緩和材5およびバー状半導体基板1において生じる熱を放つためのヒートシンク材としての金属等からなるベース材6はバー状半導体基板1より長い。最も外側のレーザ素子2に含まれる発光領域3とバー状半導体基板1の端部との距離は、100μm以上である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
発光領域を有し第1方向に延在するレーザ素子を前記レーザ素子に垂直な第2方向に沿ってアレイ状に複数個並べてなるバー状半導体基板と、
前記バー状半導体基板において生じる熱を放つためのヒートシンク材と、
前記バー状半導体基板と前記ヒートシンク材間に配置された応力緩和材と、
を含むアレイ型半導体レーザ装置であって、
前記第2方向においては、
前記応力緩和材および前記ヒートシンク材の両端部は前記バー状半導体基板の両端部に比べて前記応力緩和材の厚み以上の長さ分突出しており、
前記バー状半導体基板の端部と全ての前記発光領域との距離は100μm以上であるアレイ型半導体レーザ装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F173AD02
, 5F173AR71
, 5F173AR99
, 5F173MC13
, 5F173MD09
出願人引用 (1件)
審査官引用 (6件)
全件表示
前のページに戻る
