特許

J-GLOBAL ID：200903035425485010

半導体レーザの駆動制御装置及び駆動制御方法

発明者： 岡村 和郎
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 川和 高穂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-098902
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278926
出願日： 2005年03月30日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】レーザ加工、切断、物理計測、光サンプリング等に使用される短光パルスを容易に最適条件で半導体レーザから出力させる半導体レーザの駆動制御装置を提供すること。【解決手段】半導体レーザ12に短光パルスを発生させるレーザ駆動電流として所定の周期関数成分と直流バイアス成分を含む電流を出力する駆動電流制御部33,34と、半導体レーザ12の光出力を監視する光電変換素子13と、光電変換素子13の出力信号に基づいて半導体レーザ12の光出力を監視するレーザ出力モニタ部32と、駆動電流制御部33,34の直流駆動電流に対するレーザ出力モニタ部32の出力の変化量が急峻に変化する条件におけるレーザ駆動電流の直流バイアス成分を基準値I0 とし、該基準値I0 から所定値を変更した値を最適なバイアス成分Is になるように駆動電流制御部33,34を制御する制御部30とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体レーザに短光パルスを発生させるレーザ駆動電流として所定の周期関数成分と直流バイアス成分を含む電流を出力する駆動電流制御部と、 前記半導体レーザの光出力を監視する光電変換素子と、 前記光電変換素子の出力信号に基づいて前記半導体レーザの前記光出力を監視するレーザ出力モニタ部と、 前記駆動電流制御部の前記直流駆動電流に対する前記レーザ出力モニタ部の出力の変化量が急峻に変化する条件における前記直流駆動電流の前記直流バイアス成分を基準値とし、該基準値から所定値を変更した値を前記バイアス成分として設定させる制御信号を前記駆動電流制御部に出力する制御部とを有することを特徴とする半導体レーザの駆動制御装置。

IPC (1件)：

H01S 5/068

FI (1件)：

H01S5/0683

Fターム (9件)：

5F173SC10 ,  5F173SE10 ,  5F173SF03 ,  5F173SF17 ,  5F173SF32 ,  5F173SF43 ,  5F173SF67 ,  5F173SG03 ,  5F173SG05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 測距システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-127111   出願人：日本信号株式会社

審査官引用 (1件)

• 半導体レーザ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-002060   出願人：松下電子工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 高周波変調にもとづくAlGaAs半導体レーザからの超短光パルス発生