特許

J-GLOBAL ID：200903035450180525

半導体製造用反応炉の炉口部構造

発明者： 新川 修司
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-206034
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051081
出願日： 1994年08月08日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】半導体製造用反応炉に於いて、炉口部を構成する金属部品の腐食を防止し、清掃ガスによるセルフクリーニングを可能にする。【構成】ウェーハに化学気相成膜などの処理を行う半導体製造用反応炉に於いて、反応炉炉口部を構成する所要箇所の金属部品の材質を耐蝕耐熱ニッケル合金とし、金属部品の耐蝕性を向上させ、清掃ガスによる腐食を防止する。

請求項（抜粋）：

ウェーハに化学気相成膜などの処理を行う半導体製造用反応炉に於いて、反応炉炉口部を構成する所要箇所の金属部品の材質を耐蝕耐熱ニッケル合金としたことを特徴とする半導体製造用反応炉の炉口部構造。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  F27B 11/00 ,  F27D 1/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プラズマCVD装置のクリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-289931   出願人：日本真空技術株式会社
• 縦型熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-117688   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社