特許

J-GLOBAL ID：200903035451393387

封止剤、半導体等の封止方法、半導体装置の製造方法、および半導体装置

発明者： 大内 克哉 ,  岡本 敏彦 ,  坂本 晴美
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 安富 康男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-394823
公開番号（公開出願番号）：特開2002-194215
出願日： 2000年12月26日
公開日（公表日）： 2002年07月10日
要約：

【要約】【課題】 低吸湿性であって信頼性が高く、低粘度、速硬化性であり実用性の高く、かつ低誘電率、低誘電正接であって高周波特性に優れた封止剤を提供すること。また、高信頼性、高実用性、高周波数特性を有する電子部品、電気回路、電気接点あるいは半導体の封止方法、および、半導体装置の製造方法を提供すること。さらに、高信頼性、高実用性、高周波数特性を有する半導体装置を提供すること。【解決手段】 SiH基と反応性を有する炭素-炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する有機化合物、(B)1分子中に少なくとも2個のSiH基を含有するケイ素化合物、および(C)ヒドロシリル化触媒、を必須成分として含有する封止剤。

請求項（抜粋）：

(A)SiH基と反応性を有する炭素-炭素二重結合を1分子中に少なくとも2個含有する有機化合物、(B)1分子中に少なくとも2個のSiH基を含有するケイ素化合物、および(C)ヒドロシリル化触媒、を必須成分として含有することを特徴とする封止剤。

IPC (4件)：

C08L 83/05 ,  C09K 3/10 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (4件)：

C08L 83/05 ,  C09K 3/10 G ,  C09K 3/10 Z ,  H01L 23/30 R

Fターム (17件)：

4H017AA04 ,  4H017AB16 ,  4H017AC19 ,  4H017AD06 ,  4H017AE05 ,  4J002CP04X ,  4J002GQ05 ,  4M109AA01 ,  4M109CA04 ,  4M109CA07 ,  4M109CA12 ,  4M109CA21 ,  4M109CA26 ,  4M109EA20 ,  4M109EC01 ,  4M109EC05 ,  4M109EC20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 硬化性組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-138453   出願人：鐘淵化学工業株式会社
• 電気・電子部品材料用組成物、および電気・電子部品材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-356457   出願人：鐘淵化学工業株式会社
• 封止材料用硬化性組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-319220   出願人：鐘淵化学工業株式会社
• 電気・電子部品封止・充填用シリコーンゲル組成物およびシリコーンゲル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-031143   出願人：東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社