半導体光素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-000887
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195836
出願日： 1998年01月06日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：

【要約】【課題】良好な回折格子保存高さの制御性・再現性と優れた活性層の結晶品質を実現し、高性能かつ長期信頼性に優れた半導体光素子を歩留まり良く生産する。【解決手段】回折格子1が形成された基板2上に、回折格子1が埋もれるまで光ガイド層3を第一の基板温度で形成する。次いで第二の基板温度まで基板温度を昇温させながら、基板と同一材料からなるスペーサ層6a、6bを形成し、その後、第二の基板温度で活性層4を形成する。

請求項（抜粋）：

回折格子が形成された基板上に、第一の基板温度で形成された光ガイド層と、該第一の基板温度よりも高い第二の基板温度で形成された活性層と、基板と同一材料からなり前記光ガイド層と前記活性層との間に設けられたスペーサ層とを有することを特徴とする半導体光素子。

引用特許：

審査官引用 (19件)

特開昭60-206132
特開昭60-206132
特開平2-156522

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