特許
J-GLOBAL ID：200903035479501584

プラズマ処理装置

発明者：
若柳 俊一

若柳 俊一 について

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ヨゼフ クデラ

ヨゼフ クデラ について

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中川 行人

中川 行人 について

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秋山 進

秋山 進 について


出願人/特許権者：
アネルバ株式会社

アネルバ株式会社 について


代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-315481
公開番号（公開出願番号）：特開2005-082849
出願日： 2003年09月08日
公開日（公表日）： 2005年03月31日
要約：
【課題】 マイクロ波電力を利用して高い動作圧力でターゲット電極のごく近傍に効率良く高密度プラズマを生成し基板上へ高速の成膜を行えるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 このプラズマ処理装置は、排気機構11とガス導入機構13を有する真空容器12の内部に設けられるアンテナ16と、アンテナにマイクロ波領域の電磁波を供給する高周波電源17とを備える。放電用ガスを電磁波電力により電離してプラズマを生成する。アンテナは、内部導体20を延長して真空容器内に突出させた部分として構成され、基板に垂直な位置関係となるように配置される。内部導体の端部には同軸型可動式完全反射終端22が設けられる。電磁波は導波管・同軸型伝送路変換器19に供給され、アンテナに伝送される。アンテナに対してバイアス電圧を与える電源25を備えている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
排気機構およびガス導入機構を有する真空容器の内部に設けられるアンテナと、このアンテナに電磁波伝送路を介して電磁波を供給する高周波電源とを備え、前記ガス導入機構により前記真空容器の内部に供給されたガスを前記アンテナに供給された前記電磁波による電力により電離してプラズマを生成し、このプラズマによって基板を処理するプラズマ処理装置において、 前記アンテナは、前記真空容器の壁部を貫通して設けられた同軸型伝送路の内部導体を延長して前記真空容器内に突出させた部分として構成され、かつ前記基板に対して垂直な位置関係で配置され、 前記同軸型伝送路における前記アンテナと反対側の端部には同軸型の可動式完全反射終端が設けられ、 前記電磁波は、前記真空容器と前記可動式完全反射終端との間に設置された変換器に供給され、そして、 前記アンテナに対してバイアス電圧を与える電源を備える、 ことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5件)：
C23C14/35 ,  C23C14/34 ,  C23C16/511 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46
FI (5件)：
C23C14/35 F ,  C23C14/34 T ,  C23C16/511 ,  H01L21/31 C ,  H05H1/46 B
Fターム (23件)：
4K029AA27 ,  4K029CA05 ,  4K029DA04 ,  4K029DC13 ,  4K029DC16 ,  4K029DC28 ,  4K029DC30 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K030EA06 ,  4K030FA01 ,  4K030KA17 ,  5F045AA08 ,  5F045AA19 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045BB14 ,  5F045EF02 ,  5F045EF05 ,  5F045EH02 ,  5F045EH05 ,  5F045EH20
引用特許：
出願人引用 (9件)
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