特許

J-GLOBAL ID：200903035538262688

ポリ(3,4-ジアルコキシチオフェン)とポリ陰イオンとの複合体の水分散体の製造方法

発明者： 千種 康男 ,  玉腰 英明
出願人/特許権者： ナガセケムテックス株式会社 ,  エイチ・シー・スタルク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
代理人 (1件)： 南條 博道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-204450
公開番号（公開出願番号）：特開2006-028214
出願日： 2004年07月12日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：

【課題】 透明性および導電性に優れた導電性薄膜を形成することの可能な、導電性ポリマー成分を含む水分散体の製造方法、および該方法により得られた水分散体を提供すること。【解決手段】 3,4-ジアルコキシチオフェンを、ポリ陰イオンの存在下で、酸化剤を用いて、水系溶媒中で重合させる工程を含み、該ポリ陰イオンとして、特定の分子量とスルホン化率とを有するポリスチレンスルホン酸または他の特定のスルホン化率のポリスチレンスルホン酸を用いること、あるいは、反応時のpHを特定の値に規定することを包含する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

以下の式(1)で表される3,4-ジアルコキシチオフェン

IPC (4件)：

C08G 61/12 ,  C09D 5/02 ,  C09D 125/18 ,  C09D 165/00

FI (4件)：

C08G61/12 ,  C09D5/02 ,  C09D125/18 ,  C09D165/00

Fターム (14件)：

4J032BA04 ,  4J032BB01 ,  4J032BC02 ,  4J032BC32 ,  4J032CG01 ,  4J032CG06 ,  4J038CC091 ,  4J038DK001 ,  4J038LA02 ,  4J038MA08 ,  4J038MA10 ,  4J038NA01 ,  4J038NA20 ,  4J038PB08

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特許第2636968号公報
  
• 伝導性被覆
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-128804   出願人：バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト
• 低温で導電性ポリチオフェン層を形成するための方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-322544   出願人：アグフア-ゲヴエルト・ナームローゼ・フエンノートシヤツプ
• ポリ(3,4-ジアルコキシチオフェン)とポリ陰イオンとの複合体の水分散体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-217571   出願人：ナガセケムテックス株式会社, 長瀬産業株式会社, エイチ・シー・スタルク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング

審査官引用 (5件)

• 新規ポリチオフエン分散体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-036531   出願人：バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト
• ポリ(3,4-ジアルコキシチオフェン)とポリ陰イオンとの複合体の水分散体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-217571   出願人：ナガセケムテックス株式会社, 長瀬産業株式会社, エイチ・シー・スタルク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
• 帯電防止被覆組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-274887   出願人：アグファ・ゲヴェルト・ナームロゼ・ベンノートチャップ
• 低温で導電性ポリチオフェン層を形成するための方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-322544   出願人：アグフア-ゲヴエルト・ナームローゼ・フエンノートシヤツプ
• 導電性ポリマーの層のパターン化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-144729   出願人：アグファ・ゲヴェルト・ナームロゼ・ベンノートチャップ