特許
J-GLOBAL ID：200903035565695774

半導体装置の製造方法

発明者：
和田 茂己

和田 茂己 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-115061
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307002
出願日： 1999年04月22日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】 絶縁膜に形成されたスルーホールやゲート開口を所望の金属で十分に埋め込むことができ、高い信頼性を有する半導体装置を歩留まり良く作製可能な製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に形成した絶縁膜に開口を形成する工程と、前記開口内表面および前記絶縁膜上に第1の金属膜を形成する工程と、前記開口を埋め込むように第1の金属膜上にレジスト膜を形成する工程と、前記開口外のレジスト膜が感光し前記開口内のレジスト膜が感光しない露光量にて露光し、現像する工程と、少なくとも前記開口外の第1の金属膜が除去されるまで前記開口内に残ったレジスト膜をマスクとして第1の金属膜をエッチングする工程と、前記開口内に残存したレジスト膜を除去した後、前記開口を埋め込むように第2の金属膜を形成する工程を実施する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成した絶縁膜に開口を形成する工程と、前記開口内表面および前記絶縁膜上に第1の金属膜を形成する工程と、前記開口を埋め込むように第1の金属膜上にレジスト膜を形成する工程と、前記開口外のレジスト膜が感光し前記開口内のレジスト膜が感光しない露光量にて露光し、現像する工程と、少なくとも前記開口外の第1の金属膜が除去されるまで前記開口内に残ったレジスト膜をマスクとして第1の金属膜をエッチングする工程と、前記開口内に残存したレジスト膜を除去した後、前記開口を埋め込むように第2の金属膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812
FI (4件)：
H01L 21/90 B ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 21/302 M ,  H01L 29/80 B
Fターム (85件)：
4M104BB28 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD13 ,  4M104DD16 ,  4M104DD18 ,  4M104DD37 ,  4M104EE09 ,  4M104EE14 ,  4M104FF07 ,  4M104GG12 ,  4M104HH13 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004BD01 ,  5F004DA01 ,  5F004DA11 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB00 ,  5F004DB03 ,  5F004DB10 ,  5F004DB17 ,  5F004DB20 ,  5F004DB26 ,  5F004DB27 ,  5F004EA10 ,  5F004EA19 ,  5F004EA23 ,  5F004EA38 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02 ,  5F033GG02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH13 ,  5F033HH18 ,  5F033HH28 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ28 ,  5F033KK07 ,  5F033KK13 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK23 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033NN03 ,  5F033NN05 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN11 ,  5F033NN30 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ17 ,  5F033QQ23 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR08 ,  5F033RR29 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033VV06 ,  5F033XX02 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GS02 ,  5F102GS04 ,  5F102GT05 ,  5F102HC11 ,  5F102HC18
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM