半導体装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：尾川秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-253836
公開番号（公開出願番号）：特開平7-086204
出願日： 1993年09月14日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：

【要約】【目的】コンタクトホール3が形成された層間膜2を有し、該コンタクトホール3を導電材4により埋め込んだ半導体装置とその製造方法において、コンタクトホール3を埋める導電材4に鬆5ができてアルミニウムスパイクが発生する虞れをなくす。【構成】コンタクトホール3の内側面に絶縁材料からなるサイドウォール9を形成し、該サイドウォール9内に上記導電材4を埋め込む。

請求項（抜粋）：

層間膜にコンタクトホールを有し、該コンタクトホールに導電材を埋め込んでなる半導体装置において、上記コンタクトホールの内側面に絶縁材料からなるサイドウォールを形成し、上記サイドウォール内に上記導電材を埋め込んでなることを特徴とする半導体装置

IPC (2件)：

H01L 21/28 , H01L 21/768

引用特許：

審査官引用 (17件)

特開昭59-066170
特開平4-091430
多層配線構造の半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-313798 出願人：ソニー株式会社

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