特許

J-GLOBAL ID：200903035585387235

チタン含有誘電体膜及びその形成方法

発明者： バセーリ,セム ,  ギーリー,ダン
出願人/特許権者： マイクロン テクノロジー,インコーポレイティド
代理人 (1件)： 遠山 勉 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-519939
公開番号（公開出願番号）：特表2003-508902
出願日： 2000年08月28日
公開日（公表日）： 2003年03月04日
要約：

【要約】本発明は、好ましくは約600Å未満の厚さを有する、誘電体膜、例えばチタン酸バリウムストロンチウム膜を形成するための方法を提供する。本発明によれば、前記誘電体膜は、好ましくは、化学蒸着工程を用いて形成され、その工程において界面層とバルク層とが形成される。前記界面層は、前記バルク層中のチタンの原子パーセント以下の原子パーセントのチタンを有している。このような膜は、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)メモリのような、メモリデバイスで使用において特に有益である。

請求項（抜粋）：

チタン含有誘電体膜を形成するステップを含む、集積回路の製造において使用するための方法であって、前記チタン含有誘電体膜を形成するステップは、 基板アセンブリ表面の少なくとも一部の上にチタン含有界面誘電体層を形成するステップと、 チタン含有バルク誘電体層を形成するステップとを含み、前記界面層中のチタンの原子パーセントが前記バルク層中のチタンの原子パーセント以下である、集積回路の製造において使用するための方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (3件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  H01L 27/10 651

Fターム (31件)：

4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA05 ,  4K030JA06 ,  4K030JA12 ,  4K030LA15 ,  5F058BA06 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BC20 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ01 ,  5F083AD11 ,  5F083JA06 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083PR21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 高誘電率薄膜構造、高誘電率薄膜形成方法および高誘電率薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-025245   出願人：三菱電機株式会社
• 集積回路コンデンサおよびこれを製造する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-504428   出願人：サイメトリックスコーポレイション, 松下電子工業株式会社