コンタクトプログラム方式ROM及びその作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-222475
公開番号（公開出願番号）：特開平8-064695
出願日： 1994年08月24日
公開日（公表日）： 1996年03月08日
要約：

【要約】【目的】よりTATの短縮化を図ることができるコンタクトプログラム方式ROMの作製方法を提供する。【構成】コンタクトプログラム方式ROMの作製方法は、(イ)半導体基板10にゲート領域14及びソース・ドレイン領域15A,15Bから成る複数のメモリセルを形成した後、全面に第1の層間絶縁層20を形成し、各メモリセルの一方のソース・ドレイン領域15Aの上方の第1の層間絶縁層20に第1の開口部21を形成して金属配線材料22を埋め込み、コンタクトホールを形成し、その後、金属配線材料22上及び第1の層間絶縁層20上に第2の層間絶縁層23を形成する工程と、(ロ)所定のメモリセルのコンタクトホールの上の第2の層間絶縁層23に第2の開口部24を形成し、次いで、第2の層間絶縁層23上にコンタクトホールと電気的に接続された配線層25を形成する工程から成る。

請求項（抜粋）：

(イ)半導体基板にゲート領域及びソース・ドレイン領域から成る複数のメモリセルを形成した後、全面に第1の層間絶縁層を形成し、各メモリセルの一方のソース・ドレイン領域の上方の第1の層間絶縁層に第1の開口部を形成し、該第1の開口部内に金属配線材料を埋め込み、以てコンタクトホールを形成し、その後、金属配線材料上及び第1の層間絶縁層上に第2の層間絶縁層を形成する工程と、(ロ)所定のメモリセルのコンタクトホールの上の第2の層間絶縁層に第2の開口部を形成し、次いで、第2の層間絶縁層上に第2の開口部を介してコンタクトホールと電気的に接続された配線層を形成する工程、から成ることを特徴とする、コンタクトホールが配線層と電気的に接続されているか否かが情報の有無に対応するコンタクトプログラム方式ROMの作製方法。

IPC (2件)：

H01L 21/8246 , H01L 27/112

引用特許：

審査官引用 (4件)

集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-097003 出願人：ソニー株式会社
特開平2-069976
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-258246 出願人：富士通株式会社

全件表示

前のページに戻る