多層配線半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-126399
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330234
出願日： 1998年05月08日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 HSQの比誘電率が低く、配線容量を低減することができる多層配線半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】配線間を埋める層間絶縁膜としてフッ化水素のエッチング作用又はフッ素を含有する不純物のイオン注入によりポーラス化された水素化シルセスキオキサン膜10,21を有する。

請求項（抜粋）：

配線間を埋める層間絶縁膜としてフッ化水素のエッチング作用によりポーラス化された水素化シルセスキオキサン膜を有することを特徴とする多層配線半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/312 , H01L 21/316

FI (4件)：

H01L 21/90 M , H01L 21/312 B , H01L 21/316 P , H01L 21/90 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

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