特許
J-GLOBAL ID：200903035626998821
シリコン単結晶の製造方法および引上げ機
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-334375
公開番号（公開出願番号）：特開2000-159596
出願日： 1998年11月25日
公開日（公表日）： 2000年06月13日
要約：
【要約】【課題】 CZ法により単結晶棒を成長させるシリコン単結晶の製造方法において、原料を溶融する際に、通常の引上げ機の炉内構造を維持したままで、原料溶融時間の短縮を図り、これによって大直径、高重量の単結晶棒の生産性の向上を図るシリコン単結晶の製造方法とその引上げ機を提供する。【解決手段】 CZ法により単結晶棒を成長させるシリコン単結晶の製造方法において、原料を溶融する際に、引上げ機の炉内雰囲気ガス流量を100L/min以下とし、その内、原料に直接接触する割合を、全流量の10〜50%として原料を溶融するシリコン単結晶の製造方法およびその引上げ機。
請求項（抜粋）：
チョクラルスキー法により、単結晶棒を成長させるシリコン単結晶の製造方法において、原料を溶融する際に、引上げ機の炉内雰囲気ガス流量を100L/min以下として溶融することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
Fターム (3件)：
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077CF10
